[发明专利]一种多层石墨烯的减薄方法有效
| 申请号： | 201210382524.2 | 申请日： | 2012-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931055A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 罗巍;解婧;李超波;夏洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层石墨烯的减薄方法，属于石墨烯器件制备技术领域。所述方法包括：将多层石墨烯样品放入等离子体浸没离子注入设备的腔室内；调整等离子体浸没离子注入设备的工艺参数达到预设定的工作范围，向等离子体浸没离子注入设备通入惰性气体；利用等离子体浸没离子注入技术，对多层石墨烯样品逐层溅射减薄；在保护气的作用下，将减薄后的石墨烯样品放入高温退火炉中退火，并冷却至室温。本发明提供的多层石墨烯的减薄方法，能够对多层石墨烯的厚度进行精确调整，尤其是能够对任意厚度的石墨烯进行减薄处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种多层石墨烯的减薄方法，其特征在于，所述方法包括：将多层石墨烯样品放入等离子体浸没离子注入设备的腔室内；调整所述等离子体浸没离子注入设备的工艺参数达到预设定的工作范围，向所述等离子体浸没离子注入设备通入惰性气体；利用等离子体浸没离子注入技术，对所述多层石墨烯样品逐层溅射减薄；在保护气的作用下，将减薄后的石墨烯样品放入高温退火炉中退火，并冷却至室温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
