[发明专利]CdTe@SiO2量子点表面单胺类神经递质分子印迹聚合物的制备方法

摘要

本发明公开了一种CdTe@SiO2量子点表面单胺类神经递质分子印迹聚合物的制备方法，是在水相中合成CdTe@SiO2量子点，旋转蒸发至水挥发完毕，用无水乙醇洗去未反应的物质；将所得CdTe@SiO2量子点加入到致孔剂中，超声分散均匀后，依次加入模板分子、功能单体、交联剂，在N2保护下，搅拌反应20h；将反应液离心，弃去上清，所得固体洗涤除去模板分子后，得到CdTe@SiO2量子点表面单胺类神经递质分子印迹材料。本发明所合成的材料同时具有量子点荧光探针的灵敏度高、检测简便的优点和分子印记聚合物的高选择性、高亲和力的特点，可以直接应用于生物体液中单胺类神经递质的测定。

主权项

CdTe/SiO2量子点表面单胺类神经递质分子印迹聚合物的制备方法，步骤如下：（1）CdTe@SiO2量子点的制备：称取碲粉、NaBH4于反应容器中，在氮气氛围下，注入新煮沸放冷的蒸馏水，搅拌，反应，得到淡粉色NaHTe溶液，备用；在另一反应容器中加入蒸馏水，然后依次加入 Cd2+母液、巯基丙酸，调节pH 9.0‑10.0，加热至90~100℃时，将NaHTe溶液导入，反应液总体积控制在75~300 mL，搅拌混合均匀，缓慢注入正硅酸四乙酯，在氮气的保护下于90~100℃回流反应4~8 h，将所得反应液旋转蒸发至水挥发完毕，用无水乙醇洗去未反应的物质，得到CdTe@SiO2量子点，粒径10~20 nm； （2）CdTe@SiO2@MIPs的制备：将步骤（1）制备得到的CdTe@SiO2量子点加入到25~60 mL致孔剂中，超声分散均匀，通氮除氧；加入模板分子，搅拌，待模板分子全部溶解后依次加入功能单体和交联剂，使用氨水催化，在氮气保护下，搅拌反应16~24 h；将反应液离心，弃去上清；所得固体先用致孔剂洗涤，然后用二次水洗涤至无模板分子残留，得到CdTe@SiO2@MIPs。