[发明专利]干燥方法及干燥装置有效
申请号: | 201210383045.2 | 申请日: | 2012-10-10 |
公开(公告)号: | CN103730331A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 谢宏亮;许明棋 | 申请(专利权)人: | 辛耘企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 刘云贵;韩龙 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种干燥方法,其应用于半导体、太阳能、LED等产业工艺中,主要包含高温气体加压步骤、降压步骤、差压循环判断步骤、低压干燥步骤、压力回复步骤及总循环判断步骤,而根据差压循环设定及总循环设定来干燥处理槽中的被干燥物,其中通过重复加热、加压及降压的循环而使被干燥物表面的水分完全被去除;本发明另公开一种干燥装置,用于执行该干燥方法;本发明可达成快速干燥工艺中的被干燥物的目的,并可维持被干燥物的高洁净度。 | ||
搜索关键词: | 干燥 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种干燥方法,用于根据一差压循环设定及一总循环设定来干燥一处理槽中的一被干燥物,该干燥方法包含以下步骤:高温气体加压步骤,提供高温的气体至该处理槽中,以使该处理槽内的压力大于760托,并通过该高温气体加热该被干燥物;降压步骤,开启连接该处理槽的一排气阀以使该处理槽内的压力降低;差压循环判断步骤,根据该差压循环设定以依序地执行该高温气体加压步骤及该降压步骤至少一次以上;低压干燥步骤,开启连接该处理槽的一真空装置以使该处理槽内的压力降低至180托以下;压力回复步骤,填充气体至该处理槽中,以使该处理槽内的压力回升;及总循环判断步骤,根据该总循环设定依序执行该高温气体加压步骤至该压力回复步骤至少一次以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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