[发明专利]氢化炉和制备三氯氢硅的方法有效

专利信息
申请号: 201210383063.0 申请日: 2012-10-10
公开(公告)号: CN103723733A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 王劭南;杨楠;张铁锋;杨帆;詹水华 申请(专利权)人: 浙江昱辉阳光能源有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 魏晓波
地址: 314117 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种氢化炉,用于将四氯化硅和氢气转化为三氯氢硅,其包括:炉体;设置在所述炉体内腔中的至少一个反应盘管,且所述反应盘管的进气口和出气口均位于所述炉体的外侧;与所述内腔连通以允许火焰喷入所述反应盘管内圈空间中的火焰通道。本发明提供的氢化炉中,采用火焰热辐射以及反应盘管环绕热源全面加热的方式,代替现有技术中采用电加热以及热量在空间中交流扩散的局部加热的方式,使得四氯化硅和氢气能够得到充分加热且受热均匀,大大提高了转化效率。本发明还提供了一种制备三氯氢硅的方法,该方法使用了上述氢化炉。
搜索关键词: 氢化 制备 三氯氢硅 方法
【主权项】:
一种氢化炉,用于将四氯化硅和氢气转化为三氯氢硅,其特征在于,包括:炉体(1);设置在所述炉体(1)内腔中的至少一个反应盘管(2),且所述反应盘管(2)的进气口(3)和出气口(4)均位于所述炉体(1)的外侧;与所述内腔连通以允许火焰喷入所述反应盘管(2)内圈空间中的火焰通道(5)。
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