[发明专利]一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法无效
| 申请号： | 201210383748.5 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102915967A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈福元;毛建军;胡煜涛;朱志远;王铮;任亮;杨希望 | 申请（专利权）人： | 杭州杭鑫电子工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法。它包括如下步骤：在N-/N+型硅片的N-面上氧化、光刻、扩散入P型杂质，形成硅晶体三极管的P+型基区（B）和硅晶体二极管的P+型正极（+）区；在硅晶体三极管的P+型基区（B）上定域扩散入N型杂质，形成三极管的发射区（E），同时于硅晶体二极管的P+型正极（+）区周围选择扩散入N+型杂质，形成硅晶体二极管的负极（-）区；在各杂质扩散区上光刻开出引线孔、蒸发铝金属、光刻电极内引线、合金，制成硅晶体二极管三极管的集成芯片。本发明简化了集成工艺流程，降低生产成本，提高产品性价比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 兼容 集成 制造 晶体二极管 三极管 方法 | ||
【主权项】：
一种兼容集成制造硅晶体二极管三极管的方法，其特性在于包括如下步骤：1）在N‑/N+型硅片的N‑面上氧化、光刻、扩散入P型半导体杂质，形成硅晶体三极管的P+型基区（B）和硅晶体二极管的P+型正极（+）区；2）在硅晶体三极管的P+型基区（B）上光刻、定域扩散入N+型杂质，形成硅晶体三极管的N+型发射区（E），同时于硅晶体二极管的P+型正极（+）区周围选择扩散入N+型杂质，形成硅晶体二极管的负极（‑）区；3）在P+型杂质扩散区和N+型杂质扩散区表面光刻开出引线孔、蒸发铝金属、光刻电极内引线并互联、合金，制成硅晶体二极管三极管的集成芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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