[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201210384207.4 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102916051A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 杨海鹏;尹傛俊;涂志中;金在光 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/28;G09F9/33;G09F9/35 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以在保证源电极电容不变的情况下增大薄膜晶体管导电沟道宽度，提高薄膜晶体管的性能，从而提高图像画质。所述薄膜晶体管包括：基板；形成在基板上的栅电极、源电极、至少两个漏电极和半导体层；形成在所述基板上位于所述栅电极和半导体层之间的栅电极保护层，形成在所述基板上位于所述半导体层和源电极以及漏电极之间的刻蚀阻挡层，其中，所述源电极和所述漏电极分别通过过孔和所述半导体层相连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；形成在基板上的栅电极、源电极、至少两个漏电极和半导体层；形成在所述基板上位于所述栅电极和半导体层之间的栅电极保护层，形成在所述基板上位于所述半导体层和源电极以及漏电极之间的刻蚀阻挡层；其中，所述源电极和所述漏电极分别通过过孔和所述半导体层相连。
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