[发明专利]用于邻近修正的方法有效
| 申请号： | 201210387301.5 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103513507A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 许照荣;林世杰;林华泰;林本坚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造用于集成电路(IC)设计的掩模的方法，所述方法包括接收IC设计布局。所述IC设计布局包括：具有第一外边界的IC部件，以及分配到所述第一外边界的第一目标点。所述方法还包括生成用于所述IC部件的第二外边界；以及，将所有的第一目标点移到第二外边界以形成修改的IC设计布局。本发明还公开了用于邻近修正的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 邻近 修正 方法 | ||
【主权项】：
一种制造用于集成电路(IC)设计的掩模的方法，所述方法包括：接收IC设计布局，所述IC设计布局包括：具有第一外边界的IC部件，和分配到所述第一外边界的第一目标点；生成用于所述IC部件的第二外边界；将所有的所述第一目标点移到所述第二外边界以形成修改的IC设计布局；以及为掩模制造提供所述修改的IC设计布局。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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