[发明专利]参考电压产生器无效
| 申请号： | 201210387322.7 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103729009A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 胡敏弘;黄秋皇;吴振聪;黄俊为;苏品翰 | 申请（专利权）人： | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种参考电压产生器，包括参考电压产生单元。参考电压产生单元接收第一偏压电流及第一映射电流，用以产生参考电压。参考电压产生单元包括第一金属氧化半导体晶体管、第二金属氧化半导体晶体管、第一阻抗提供元件以及第二阻抗提供元件。第一及第二金属氧化半导体晶体管操作在次临界(sub-threshold)区，以产生具有负温度系数的第一及第二栅源极电压。第一阻抗提供元件用以产生具有正温度系数的第一电流。第二阻抗提供元件用以在其第一端产生具有正温度系数的第一电压。其中，参考电压等于第二栅源极电压加上第一电压。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 电压 产生器 | ||
【主权项】：
一种参考电压产生器，包括：一参考电压产生单元，接收一第一偏压电流及一第一映射电流，用以产生一参考电压，该参考电压产生单元包括：一第一金属氧化半导体晶体管，其第一端接收该第一偏压电流，该第一金属氧化半导体晶体管操作在次临界(sub‑threshold)区，以产生具有负温度系数的一第一栅源极电压；一第二金属氧化半导体晶体管，其第一端接收该第一映射电流，其栅极端耦接该第一金属氧化半导体晶体管的栅极端，该第二金属氧化半导体晶体管操作在次临界区，以产生具有负温度系数的一第二栅源极电压，且该第一金属氧化半导体晶体管的宽长比为该第二金属氧化半导体晶体管的宽长比的K1倍，其中K1为大于0的自然数且不等于1；一第一阻抗提供元件，其第一端耦接该第一金属氧化半导体晶体管的第二端，其第二端耦接该第二金属氧化半导体晶体管的第二端，用以产生具有正温度系数的一第一电流；以及一第二阻抗提供元件，其第一端耦接该第二金属氧化半导体晶体管的第二端，其第二端耦接一接地电压，用以在其第一端产生具有正温度系数的一第一电压，其中，该参考电压等于该第二栅源极电压加上该第一电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联咏科技股份有限公司，未经联咏科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210387322.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
