[发明专利]用于沉积的掩模及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201210387327.X 申请日: 2012-10-12
公开(公告)号: CN103132015A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 朱星中;许明洙;郑石源;张喆旼;李成用;赵喆来;韩仁爱 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;C23C16/04
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 余朦;姚志远
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 沉积掩模包括沉积掩模主体和涂层。掩模主体包括穿透掩模主体的多个狭缝。涂层涂覆于所述掩模主体的整个表面上。涂层由与掩模主体的材料不同的材料制成,并且其磁力强于掩模主体的磁力。狭缝中的每一个均具有开口区,并且涂层的厚度控制开口区的宽度。光刻处理被用来形成多个狭缝。
搜索关键词: 用于 沉积 及其 制造 方法
【主权项】:
一种沉积掩模,包括:掩模主体,包括穿透所述掩模主体的多个狭缝;以及涂层,通过原子层沉积涂覆于所述掩模主体的整个表面上。
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