[发明专利]检测光刻机对图形模糊成像控制能力的方法有效
| 申请号： | 201210389026.0 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102866599A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 朱骏;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测光刻机对图形模糊成像控制能力的方法，包括：第一步骤：利用光刻机，通过测试掩模板在硅片上曝光，并进行显影；第二步骤：利用电子线宽测量设备检测硅片得到的曝光大小；第三步骤：将在硅片得到的曝光大小与预定掩模板尺寸相减；第四步骤：根据第三步骤得到的相减结果判断光刻机对图形模糊成像控制能力。本发明利用测试掩模板在硅片上曝光，显影后利用电子线宽测量设备检测，将在实际硅片得到的曝光大小与预定掩模板尺寸相减，进而能够测试光刻机对图形模糊成像控制能力的精度表现，由此，本发明所用的硅片无需提前制作测定图形，更为灵活便捷。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 光刻 图形 模糊 成像 控制 能力 方法 | ||
【主权项】：
一种检测光刻机对图形模糊成像控制能力的方法，其特征在于包括：第一步骤：利用光刻机，通过测试掩模板在硅片上曝光，并进行显影；第二步骤：利用电子线宽测量设备检测硅片得到的曝光大小；第三步骤：将在硅片得到的曝光大小与预定掩模板尺寸相减；第四步骤：根据第三步骤得到的相减结果判断光刻机对图形模糊成像控制能力。
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