[发明专利]具有阻挡层的铜接触插塞有效
| 申请号： | 201210390173.X | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103579175B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 苏莉玲;谢静华;陈煌明;曹学文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有阻挡层的铜接触插塞，其中，一种器件包括导电层，导电层包括底部以及位于底部上方的侧壁部分，其中侧壁部分连接至底部的端部。含铝层与导电层的底部重叠，其中含铝层的顶面与导电层的侧壁部分的顶部边缘基本平齐。氧化铝层覆盖在含铝层之上。含铜区域位于氧化铝层上方并通过氧化铝层与含铝层隔开。含铜区域通过导电层的侧壁部分的顶部边缘电连接至含铝层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阻挡 接触 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：导电层，所述导电层包括底部以及位于所述底部上方的侧壁部分，其中所述侧壁部分连接至所述底部的端部；含铝层，与所述导电层的底部重叠；氧化铝层，覆盖在所述含铝层之上，所述氧化铝层的顶面与所述导电层的侧壁部分的顶部边缘平齐；以及含铜区，位于所述氧化铝层上方并通过所述氧化铝层与所述含铝层隔开，所述含铜区通过所述导电层的侧壁部分的顶部边缘与所述含铝层电连接。
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