[发明专利]一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201210390494.X | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102903766A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;向君;黄醒 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池，采用金属栅极层/透明电极层/缓冲层/光吸收层/背电极层/衬底的结构,去除了铜铟镓硒薄膜太阳能典型结构中的本征ZnO窗口层，。本发明还提供了上述电池的全溅射制备方法。本发明去除了本征ZnO窗口层，简化了工艺制备步骤，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无镉铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池，其特征在于，其从上往下依次由透明导电层、缓冲层、光吸收层、金属背电极层和衬底组成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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