[发明专利]一种多晶硅通孔的制造方法有效
| 申请号： | 201210391007.1 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103730408A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅通孔的制造方法，包括如下步骤：1）在硅衬底上依次生长硅外延和介质层；2）在硅衬底或硅外延上刻蚀出沟槽；3）在沟槽侧壁生长一层具有压应力的SiGe外延层；4）用多晶硅填充沟槽；5）依次去除硅外延上的多晶硅、SiGe外延层和介质层。本发明可以防止因应力过大在硅衬底和硅外延内产生的缺陷，以获得硅外延层内无晶格缺陷的多晶硅通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅通孔 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：1）在硅衬底上依次生长硅外延和介质层；2）在硅衬底或硅外延上刻蚀出沟槽；3）在沟槽侧壁生长一层具有压应力的SiGe外延层；4）用多晶硅填充沟槽；5）依次去除硅外延上的多晶硅、SiGe外延层和介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
