[发明专利]卤代有机氨基硅烷前体及包含该前体的薄膜沉积方法有效
| 申请号： | 201210392207.9 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103012457A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 萧满超;雷新建;M·L·奥内尔;韩冰;R·M·皮尔斯泰恩;H·钱德拉;H·R·伯文;A·德雷克斯凯-科瓦克斯 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C07F7/10 | 分类号： | C07F7/10;C23C16/44;C23C16/42;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/40;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了形成薄膜的前体和方法。在一个方面，提供了具有下式I的硅前体：XmR1nHpSi(NR2R3)4-m-n-p I其中X选自C1、Br、I；R1选自直链或支链C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R2选自直链或支链C1-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R3选自支链C3-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且m+n+p小于4，其中R2和R3连接形成环或不连接。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 氨基 硅烷 包含 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
由下式I表示的卤代有机氨基硅烷前体：XmR1nHpSi(NR2R3)4‑m‑n‑p I其中X是选自Cl、Br、I的卤素；R1独立地选自直链或支链C1‑C10烷基、C2‑C12烯基、C2‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R2选自直链或支链C1‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；R3选自支链C3‑C10烷基、C3‑C12烯基、C3‑C12炔基、C4‑C10环烷基和C6‑C10芳基；m是1或2；n是0、1或2；p是0、1或2；且(m+n+p)的和小于4，且其中R2和R3连接以形成环。
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