[发明专利]半导体结构及其形成方法、SRAM存储单元、SRAM存储器

摘要

一种半导体结构及其形成方法、SRAM存储单元、SRAM存储器。半导体结构，包括形成于半导体衬底上的至少两个相邻晶体管；两个相邻晶体管的栅极、位于两个相邻晶体管栅极之间的掺杂区围成一开口；覆盖于开口底部和侧壁上的导电层。另一种半导体结构，包括形成于半导体衬底上的第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的栅极中绝缘层仅覆盖栅电极层远离第二晶体管掺杂区的一部分；绝缘层、绝缘层露出的第一晶体管的栅电极层、第二晶体管掺杂区、第二晶体管的栅极围成一开口；覆盖于开口底部和侧壁上的导电层。本发明还提供所述半导体结构的形成方法、包括所述半导体结构的SRAM存储单元和SRAM存储器。本发明能减小半导体结构面积。

主权项

一种SRAM存储单元，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管以及第四NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管形成双稳态电路，所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管为传输晶体管；所述第一PMOS晶体管的栅极与所述第一NMOS晶体管的栅极相连，所述第一PMOS晶体管的绝缘层露出靠近第二PMOS晶体管漏极的部分栅电极层，所述绝缘层、所述露出的部分栅电极层、所述第二PMOS晶体管的漏极、所述第二PMOS晶体管的栅极围成第一开口，覆盖于所述第一开口底部和侧壁上的第一导电层，用于实现第一PMOS管的栅极与第二PMOS晶体管的漏极的电连接；所述第二NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的栅极、位于所述第二NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的栅极之间的第二NMOS晶体管的漏极与所述第四NMOS晶体管的源极围成第二开口，所述第一导电层还覆盖于所述第二开口底部和侧壁上，用于实现所述第二NMOS晶体管的漏极与所述第四NMOS晶体管的源极电连接；所述第二PMOS晶体管的栅极与所述第二NMOS晶体管的栅极相连，所述第二PMOS晶体管的绝缘层露出靠近第一PMOS晶体管漏极的部分栅电极层，所述绝缘层、所述露出的部分栅电极层、所述第一PMOS晶体管的漏极以及所述第一PMOS晶体管的栅极围成第三开口，覆盖于所述第三开口底部和侧壁上的第二导电层，用于实现第二PMOS管的栅极与第一PMOS晶体管的漏极的电连接；所述第一NMOS晶体管和第三NMOS晶体管的栅极、位于所述第一NMOS晶体管和第三NMOS晶体管的栅极之间的第一NMOS晶体管的漏极与所述第三NMOS晶体管的源极围成第四开口，所述第二导电层还覆盖于所述第四开口底部和侧壁上，用于实现所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第三NMOS晶体管的源极电连接。