[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种应力半导体制造方法。本发明中，首先在NMOS区域形成张应力层以在PMOS区域形成压应力层，沉积TEOS并进行平坦化处理，接着全面沉积保护层；采用栅极线条掩模版对保护层进行光刻和刻蚀，打开虚设栅极，由于在张应力层和压应力层之上完全覆盖了保护层，并且保护层在湿法腐蚀液中的腐蚀速率很小，因此张应力层和压应力层不会受到任何损伤，克服了现有技术中的缺陷；接着，形成栅极凹槽后，完成高K栅绝缘层和金属栅极制造，实现了后栅工艺与双应变应力层的工艺集成。

主权项

一种半导体器件制造方法，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入，形成NMOS区域和PMOS区域；形成NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管包括虚设栅极和虚设栅极绝缘层，所述虚设栅极由栅极线条光刻版图案化；在所述NMOS晶体管之上形成张应力层，在所述PMOS晶体管之上形成压应力层；进行CMP工艺，暴露所述虚设栅极的上表面，并使所述虚设栅极、所述张应力层、所述压应力层的上表面处于同一平面内；全面性沉积保护层；以栅极线条光刻版对所述保护层进行光刻和刻蚀，去除位于所述虚设栅极上表面的所述保护层，暴露出所述虚设栅极上表面；依次去除所述虚设栅极和所述虚设栅极绝缘层，形成栅极凹槽，由于所述保护层的保护，所述张应力层和所述压应力层都将不会有任何损失，因而可以向沟道提供足够的应力；在所述栅极凹槽中，分别形成所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的高K栅绝缘层和金属栅极。