[发明专利]X射线平板探测装置的制造方法有效
申请号: | 201210393940.2 | 申请日: | 2012-10-17 |
公开(公告)号: | CN103779362A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 肖文文;朱虹;凌严;祁刚 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种X射线平板探测装置的制造方法步骤包括提供一基板;在所述基板上形成薄膜晶体管、底电极和导电元件,所述底电极与导电元件通过连接部电连接成一个整体;在所述底电极上形成光电转换元件和顶电极;在所述薄膜晶体管的沟道上方形成遮光层的同时刻蚀所述连接部,使所述底电极与导电元件断开。本发明通过将底电极(源极)通过连接部电连接成一个整体,当薄膜晶体管制造完成以后,在后续的制造过程中,所述支撑柱与所述基板底面接触或分离的瞬间,将底电极(源极)产生的静电通过所述导电元件释放掉,避免薄膜晶体管的静电击穿。 | ||
搜索关键词: | 射线 平板 探测 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种X射线平板探测装置的制造方法,包括:步骤1:提供一基板;步骤2:在所述基板上形成像素开关、底电极和导电元件,所述底电极与导电元件通过连接部电连接成一个整体;步骤3:在所述底电极上形成光电转换元件和顶电极;步骤4:在所述薄膜晶体管的沟道上方形成遮光层的同时刻蚀所述连接部,使所述底电极与导电元件断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的