[发明专利]用于存储器器件的内置自测试和自修复方法有效
| 申请号： | 201210395297.7 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103578562B | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 萨曼·M·I·阿扎姆;洪照荣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述的修复数据或错误寄存器数据的存储机制的实施例使得来自不同测试阶段的修复数据存储在同一分段中，而没有使用已用过的OTPM单元的风险。所述存储机制采用BISTR模块中的副本修复数据存储。所述BISTR模块中的修复数据存储以及副本修复数据存储使得能够现测试阶段的新修复数据与前一阶段的所述修复数据区分。在所述BISTR模块中的XOR门，以及所述XOR门和所述存储器阵列中的修复数据存储之间的连接线也有助于所述区分。由于新老修复数据(或错误寄存器)的区分，新修复数据可以被存储在与所述已使用的OTPM单元恰好相邻的可用OTPM单元的一个OTPM中，所述已使用的OTPM单元存储了来自上一测试阶段的修复数据。本发明还公开了用于存储器器件的内置自测试和自修复机制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 器件 内置 测试 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种在一次性编程存储器(OTPM)中存储随机存取存储器(RAM)阵列的修复数据的方法，所述方法包括：使用内置自测试和自修复(BISTR)模块进行所述随机存取存储器阵列的第一测试和修复以确定用于所述随机存取存储器阵列的第一修复数据，其中所述随机存取存储器阵列具有用于修复的冗余行和列；将所述随机存取存储器阵列的所述第一修复数据存储在所述一次性编程存储器中；将所述第一修复数据装载到所述随机存取存储器阵列的修复存储器中；将所述第一修复数据装载到所述内置自测试和自修复模块的修复存储器以及副本修复存储器中；进行所述随机存取存储器阵列的第二测试和修复以确定未包括在所述第一修复数据中的故障位的第二修复数据；将所述第二修复数据存储在所述内置自测试和自修复模块的修复存储器中以及所述随机存取存储器阵列的修复存储器中；使用XOR门对所述内置自测试和自修复模块的修复存储器以及副本修复存储器中的修复数据进行处理；将所述XOR门的输出存储到所述随机存取存储器阵列的修复存储器中；以及将所述修复存储器的内容存储到所述一次性编程存储器中。
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