[发明专利]100毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片有效
| 申请号： | 201210395316.6 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102899723A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | J·R·杰尼 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B33/00;B24B7/22;B24B9/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了单一多型体的单晶碳化硅晶片，其直径大于75毫米，并小于125毫米，电阻率大于10000ohm-cm，微管密度小于200cm-2，并且浅能级掺杂剂的总浓度小于5E16cm-3。 | ||
| 搜索关键词： | 100 毫米 高纯 绝缘 碳化硅 晶片 | ||
【主权项】：
制备高品质块状碳化硅单晶的方法，该方法包括在生长前对晶种的两面进行研磨。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于克里公司，未经克里公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210395316.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
