[发明专利]一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管有效
| 申请号： | 201210395973.0 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779169A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王卫国;李海洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01J49/16 | 分类号： | H01J49/16 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明为一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管，其特征在于利用表面放电电离产生薄离子片来替代传统离子门，利用脉冲电场将离子引入漂移区，仪器装配简单，易于批量化和微型化。由沿轴线分布的脉冲推斥电极、表面放电离子源、漂移区、栅网、离子接收极等构成；待测物被离子源电离产生的产物离子分别被脉冲推斥电极引入漂移区，在高压电源提供的电场中飞行，最终被离子接收极接收检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 放电 电离 离子 迁移 | ||
【主权项】：
一种表面放电电离源‑无离子门离子迁移管，包括沿轴线分布的漂移区（12）、栅网（8）、离子接收极（9），其特征在于：于远离离子接收极（9）的漂移区（12）的一侧设有表面放电离子源；表面放电电离源包括脉冲推斥电极（4）、表面放电高压电极（1）和地电极（2）、绝缘基底（11），脉冲推斥电极（4）垂直于离子迁移管的轴线放置，于脉冲推斥电极（4）靠近漂移区（12）一侧的表面上设置有板状的绝缘基底（11），表面放电高压电极（1）和地电极（2）镶嵌于绝缘基底（11）内，表面放电高压电极（1）和地电极（2）的放电端面向远离脉冲推斥电极（4）一侧，且它们的放电端于脉冲推斥电极（4）上的投影相互间隔；于绝缘基底（11）远离脉冲推斥电极（4）一侧表面形成表面放电区（3）。
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