[发明专利]金属互连结构的制作方法

摘要

一种金属互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底；在其上依次形成介质层、第一缓冲层、第一图案硬掩模层、第二缓冲层、第二图案硬掩模层，所述第一图案硬掩模层和第二图案硬掩模层为互相交叉的线条状图形；以第二图案硬掩模层和第一图案硬掩模层为掩模，刻蚀第二缓冲层和第一缓冲层至露出介质层，形成缓冲层图案；以所述缓冲层图案为掩模，刻蚀介质层至在第二图案硬掩模层下方的第二缓冲层消失后，第一图案硬掩模层下方的第一缓冲层消失前停止，以在所述介质层内形成多个通孔及连接至少两个通孔的沟槽；去除残留的第一缓冲层。本发明以所述缓冲层图案为掩模刻蚀介质层，可以在介质层中同时形成金属互连结构中的沟槽和通孔。

主权项

一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上形成第一缓冲层；在所述第一缓冲层上形成第一图案硬掩模层，所述第一图案硬掩模层具有多个线条状图形；在所述第一缓冲层和所述第一图案硬掩模层上形成第二缓冲层；在所述第二缓冲层上形成第二图案硬掩模层，所述第二图案硬掩模层具有多个线条状图形，所述第二图案硬掩模层的线条状图形和所述第一图案硬掩模层的线条状图形互相交叉；以所述第二图案硬掩模层和第一图案硬掩模层为掩模，刻蚀所述第二缓冲层和第一缓冲层至露出介质层，形成缓冲层图案，所述缓冲层图案包括形成在第二缓冲层中、与所述第二图案硬掩模层图形相对应的第二图案和形成在第一缓冲层中、与第一及第二图案硬掩模层叠合图形相对应的第三图案；以所述缓冲层图案为掩模，刻蚀所述介质层，所述刻蚀进行至在第二图案硬掩模层下方的第二缓冲层消失后继续进行，在第一图案硬掩模层下方的第一缓冲层消失前停止，以在所述介质层内形成多个通孔及连接至少两个通孔的沟槽；去除残留的第一缓冲层。