[发明专利]太阳能电池吸收层薄膜结构及其制造方法有效
申请号: | 201210397509.5 | 申请日: | 2012-10-17 |
公开(公告)号: | CN103165696A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 谢祥渊;周德才 | 申请(专利权)人: | 广东金光伏能源投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 510075 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池吸收层薄膜结构及其制造方法,所述薄膜结构包括叠置的三个薄膜层;其中一个薄膜层是CuInSe2薄膜层;另外一个薄膜层是CuInGaSe2薄膜层、CuInAlSe2薄膜层或者CuInBSe2薄膜层;余下一个薄膜层是CuInS2薄膜层或者CuInGaS2薄膜层。本发明也可以由上述三个薄膜层中的任意两个叠置而成。本发明提供的铜铟镓硒太阳能电池吸收层薄膜结构,其与单层结构的铜铟镓硒太阳能电池吸收层薄膜结构相比较,不仅具有较佳的能隙宽度,又避免了光的吸收范围减少,大大提高了太阳能电池吸收太阳能的效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 吸收 薄膜 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池吸收层薄膜结构,其特征在于:包括依次叠置的第一薄膜层与第二薄膜层,所述第一薄膜层是CuInSe2薄膜层;所述第二薄膜层是CuInGaSe2薄膜层、CuInAlSe2薄膜层或者CuInBSe2薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的