[发明专利]IMD测量电路结构和IMD性能测试方法有效
| 申请号： | 201210398546.8 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779327A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 宋卓;赵永 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种IMD测量电路结构和IMD性能测试方法，该IMD测量电路结构设置于第一测量焊垫和第二测量焊垫之间，其包括金属线层对金属线层结构、通孔末端对金属线层结构、上层金属线层对下层金属线层结构以及通孔对通孔结构。本发明的IMD测量电路结构中同时包含了多种结构，因此在整个IMD测量电路结构中同时兼具了这些结构所反映的性能，所以在进行IMD性能测试时采用本发明的IMD测量电路结构，仅进行一次针对本发明的IMD测量电路结构的IMD性能测试，便可以获得包括多种结构在内的IMD的性能。本发明不需要再设计大量的测试结构并进行多次测试，极大的简化了IMD测试过程，使得测试过程简单且高效，从而缩短了半导体集成电路的生产周期，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | imd 测量 电路 结构 性能 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种IMD测量电路结构，设置于第一测量焊垫和第二测量焊垫之间，其特征在于：所述IMD测量电路结构包括金属线层对金属线层metal to metal结构、通孔末端对金属线层via end to metal结构、上层金属线层对下层金属线层upper metal to bottom metal结构以及通孔对通孔via to via结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210398546.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种陶瓷镨钕刚玉砂轮
- 下一篇：在运动手表系统中的GPS特征和功能
