[发明专利]具有自对准沟道宽度的晶体管有效
| 申请号： | 201210399143.5 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103066111A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 柳政澔;真锅宗平 | 申请（专利权）人： | 全视科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 齐杨 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有自对准沟道宽度的晶体管。一种装置包含晶体管，所述晶体管包含：源极及漏极，其安置于衬底中；及栅极，其安置于所述衬底上面。所述栅极包含安置于所述源极及所述漏极上面且大致平行于所述晶体管的沟道延续的第一纵向部件。所述第一纵向部件安置于第一结隔离区域上方。所述栅极还包含安置于所述源极及所述漏极上面且大致平行于所述晶体管的所述沟道延续的第二纵向部件。所述第二纵向部件安置于第二结隔离区上方。所述栅极还包含大致垂直于所述晶体管的所述沟道延续且将所述第一纵向部件连接到所述第二纵向部件的横向部件。所述横向部件安置于所述源极及所述漏极上面以及其之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 沟道 宽度 晶体管 | ||
【主权项】：
一种装置，其包括：晶体管，其包括：源极及漏极，其安置于衬底中；及栅极，其安置于所述衬底上面，其中所述栅极包含：第一纵向部件，其安置于所述源极及所述漏极上面且大致平行于所述晶体管的沟道延续，其中所述第一纵向部件安置于第一结隔离区上方；第二纵向部件，其安置于所述源极及所述漏极上面且大致平行于所述晶体管的所述沟道延续，其中所述第二纵向部件安置于所述源极及所述漏极的与所述第一纵向部件相对的侧上，且其中所述第二纵向部件安置于第二结隔离区上方；及横向部件，其大致垂直于所述晶体管的所述沟道延续且将所述第一纵向部件连接到所述第二纵向部件，其中所述横向部件安置于所述源极及所述漏极上面以及其之间。
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