[发明专利]薄膜晶体管阵列制作方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列制作方法，其包含下列步骤：在基板上形成图案化第一金属层；沉积第一绝缘层以覆盖图案化第一金属层；形成图案化氧化物半导体层于薄膜晶体管区的第一绝缘层上；在第一绝缘层与氧化物半导体层上形成第二绝缘层；蚀刻在薄膜晶体管区的第二绝缘层，裸露部分氧化物半导体层，同时蚀刻在讯号线区的第二绝缘层与第一绝缘层，裸露第一金属层；以及形成图案化第二金属层于薄膜晶体管区的图案化第二绝缘层上，使图案化第二金属层电性连接氧化物半导体层，同时形成图案化第二金属层于讯号线区的部分第一金属层上。

主权项

一种薄膜晶体管阵列制作方法，其特征在于包含下列步骤：在一基板上形成一图案化第一金属层；沉积一第一绝缘层以覆盖所述图案化第一金属层；形成一氧化物半导体层于一薄膜晶体管区的所述第一绝缘层上；在所述第一绝缘层与所述氧化物半导体层上形成一第二绝缘层；蚀刻在所述薄膜晶体管区的所述第二绝缘层，裸露部分所述氧化物半导体层，同时蚀刻在一讯号线区的所述第二绝缘层与所述第一绝缘层，裸露部分所述图案化第一金属层；以及形成一图案化第二金属层于所述薄膜晶体管区的所述第二绝缘层上，使所述图案化第二金属层连接所述氧化物半导体层，同时形成所述图案化第二金属层于所述讯号线区的所述图案化第一金属层上而与所述第一金属层接触。