[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201210401275.7 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102956713A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;王刚 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，用以提高薄膜晶体管的电学性能，提高显示装置显示图像的画质。本发明提供的薄膜晶体管包括：基板、形成在所述基板上的栅极、源极、漏极、半导体层和半导体层保护层；以及形成在所述基板上位于所述栅极和半导体层之间的第一栅极保护层，和位于所述第一栅极保护层和所述半导体层之间的栅极隔离层；半导体层保护层位于半导体层与源极和漏极之间；所述源极和漏极通过过孔与所述半导体层相连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板、形成在所述基板上的栅极、源极、漏极、半导体层和半导体层保护层；以及形成在所述基板上位于所述栅极和半导体层之间的第一栅极保护层，和位于所述第一栅极保护层和所述半导体层之间的栅极隔离层；半导体层保护层位于半导体层与源极和漏极之间。
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