[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201210401500.7 | 申请日： | 2012-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103066112B | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;早川昌彦;本田达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/43 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张金金,朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：具有绝缘表面的衬底；所述绝缘表面上的栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜包括铟；所述氧化物半导体膜上的源电极层及漏电极层；以及接触于与所述栅电极层重叠的所述氧化物半导体膜的区域的绝缘膜，该绝缘膜覆盖所述源电极层及所述漏电极层，其中，残留物残留在所述氧化物半导体膜的表面上，该表面与所述绝缘膜接触，并且，所述表面的所述残留物的面密度为1×1013atoms/cm2以下。
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