[发明专利]一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210401707.4 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103000706A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 张晨;张森林 | 申请（专利权）人： | 江苏晨电太阳能光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;B32B9/00;H01L31/18;C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张惠忠 |
| 地址： | 223700 江苏省宿*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜，是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的二氧化硅薄膜，厚度为15-25nm，折射率为1.46-1.47；第二层膜为二氧化钛薄膜，厚度为40-60nm，折射率为2.08-2.36，第三层薄膜为氮化硅薄膜，厚度为20-70nm，折射率为2.1-2.5。本发明三层减反射膜可以降低电池表面对光的反射，提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 三层 减反射膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池三层减反射膜，其特征在于：其是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的二氧化硅薄膜，厚度为15‑25nm，折射率为1.46‑1.47；第二层膜为二氧化钛薄膜，厚度为40‑60nm，折射率为2.08‑2.36，第三层薄膜为氮化硅薄膜，厚度为20‑70nm，折射率为2.1‑2.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏晨电太阳能光电科技有限公司，未经江苏晨电太阳能光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210401707.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
