[发明专利]一种大马士革结构的制作方法

摘要

本发明提供一种大马士革结构的制作方法，包括在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层；在介质层上涂布第一光刻胶，经光刻，形成通孔刻蚀图形；经刻蚀和去胶，在介质层上形成通孔；在通孔中淀积氮化膜；在介质层上涂布第二光刻胶，经光刻，形成沟槽刻蚀图形；经刻蚀和去胶，形成沟槽；刻蚀通孔氮化膜、暴露的中间停止层氮化膜和介质阻挡层氮化膜；金属填充通孔和沟槽。因此，通过本发明的方法，简化了制备工艺，使刻蚀工艺更加稳定和易于控制，提高了生产效率。

主权项

一种大马士革结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在衬底上依次淀积介质阻挡层氮化膜和介质层，所述的介质层的结构从下往上依次为通孔介质膜、中间停止层氮化膜、沟槽介质膜；步骤S2：在所述的介质层表面上涂布第一光刻胶，经曝光和显影，在所述的第一光刻胶上形成通孔刻蚀图形；步骤S3：经刻蚀和去胶，利用所述的通孔刻蚀图形刻蚀所述的介质层，在所述的介质层上形成通孔；步骤S4：在所述的通孔中淀积氮化膜，形成通孔氮化膜，其中，在淀积所述通孔氮化膜时，有多余的氮化膜覆盖在所述通孔外部的介质层表面，去除所述介质层表面的多余氮化膜，使得通孔氮化膜只位于所述通孔中；步骤S5：在所述的介质层表面上涂布第二光刻胶，经曝光和显影，在所述的第二光刻胶上形成沟槽刻蚀图形，沟槽刻蚀图形底部暴露出通孔氮化膜顶部和部分介质层表面；步骤S6：经刻蚀和去胶，用所述的沟槽刻蚀图形刻蚀所述的沟槽介质膜，采用对所述沟槽介质膜的刻蚀速率大于对通孔氮化膜、中间停止层氮化膜的刻蚀速率，在所述的沟槽介质膜中形成沟槽，并停止于中间停止层氮化膜，同时所述通孔氮化膜保留在形成的所述沟槽中；步骤S7：采用对通孔氮化膜、中间停止层氮化膜和介质阻挡层氮化膜相同的刻蚀速率，去除所述的通孔氮化膜，以及暴露在所述的沟槽底部的中间停止层氮化膜和所述的通孔底部的所述介质阻挡层氮化膜；步骤S8：在所述通孔和所述沟槽内填充金属。