[发明专利]一种金属-氧化物-金属电容的形成方法

摘要

本发明提供一种金属‑氧化物‑金属(MOM)电容的形成方法，其包括提供一晶圆基底；在所述晶圆基底上沉积金属层；通过两次图形化工艺，在所述金属层中分别形成第一电极与第二电极；在所述晶圆表面沉积绝缘介质层，形成MOM电容。通过本发明的方法，可以得到小于光刻工艺约束的图形间距，大大减少了相邻两个电极指状极板之间的距离，从而在提高MOM电容容量的同时又可以减小电容所占芯片面积。

主权项

1.一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其中，所述金属-氧化物-金属电容包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极均采用指状结构，分别由数个相互平行的指状极板单端相连而成，所述第一电极与第二电极相对交错排布，位于同层绝缘介质中；其特征在于，所述形成方法包括如下步骤：提供一晶圆基底；在所述晶圆基底上沉积金属层；在所述金属层表面沉积硬掩膜介质层；在所述硬掩膜介质层上涂布第一光刻胶层，通过曝光、显影，在所述第一光刻胶层定义第一电极图形，完成第一次图形化工艺；对经过图形化的所述第一光刻胶层进行固化处理；在所述晶圆表面涂布第二光刻胶层，通过曝光、显影，在所述第二光刻胶层定义第二电极图形，完成第二次图形化工艺；以经过图形化的所述第一光刻胶层和第二光刻胶层为掩膜，对所述硬掩膜介质层进行刻蚀；以经过刻蚀的所述硬掩膜介质层为掩膜，对所述金属层进行刻蚀，在所述金属层中分别形成第一电极与第二电极，从而得到小于设计规则及光刻工艺约束的极板间间距；在所述晶圆表面沉积绝缘介质层，形成金属-氧化物-金属电容。