[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜预制层及其制备方法有效
| 申请号： | 201210405315.5 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103779439A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郭伟民;廖成;黄迎春;曾波明;刘焕明 | 申请（专利权）人： | 中物院成都科学技术发展中心 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 王芸;刘雪莲 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池薄膜预制层及其制备方法。本发明的一种太阳能电池薄膜预制层包括0.03～1.5μm厚的铜层和0.15～3.5μm厚的铜铟镓硒层，所述铜铟镓硒层化学式为CuInaGabSec，其中，a为0.01～5，b为0.01～5，c为0.01～10；并且，铜在铜铟镓硒层中原子比例在15%以下。所述铜铟镓硒薄膜预制层通过以下方法制得：在金属背电极材料上先制备单质铜层，在铜层之上再制备包含铜、铟、镓、硒四种元素的预制层。通过加热退火工艺，使铜铟镓硒层和铜层反应形成符合化学计量比的单一晶相铜铟镓硒薄膜。所得到的铜铟镓硒薄膜质量好，光电转换效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟镓硒 薄膜 预制 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种铜铟镓硒薄膜预制层，其特征在于，包括0.03～1.5μm厚的铜层和0.15～3.5μm厚的铜铟镓硒层，所述铜铟镓硒层化学式为CuInaGabSec，其中，a的为0.01～5，b为0.01～5，c为0.01～10；并且，铜在铜铟镓硒层中原子比例在15%以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
