[发明专利]一种非晶硅平坦化方法在审
| 申请号： | 201210405322.5 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102874748A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 左青云 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非晶硅平坦化方法，其包括：在具有台阶的衬底上淀积并完全覆盖一层非晶硅层；然后，在非晶硅层上旋涂一层有机材料层，以使有机材料层完全覆盖于非晶硅层上；采用相同的刻蚀速率刻蚀有机材料层和非晶硅层，以完全去除有机材料层，获得所需厚度且表面平坦的非晶硅层。因此，采用刻蚀工艺对非晶硅进行平坦化的方法，可以在无需额外添置非晶硅化学机械研磨设备的同时，避免因采用化学机械研磨工艺对非晶硅造成的损伤、剥落以及掺杂非晶硅研磨效率低下的问题，有效地降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非晶硅 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述的方法具体包括如下步骤：步骤S1：在具有台阶（102）的衬底（101）上淀积并完全覆盖一层非晶硅层（103）； 步骤S2：在所述非晶硅层（103）上旋涂一层有机材料层（104），以使所述有机材料层（104）完全覆盖于所述非晶硅层（103）上； 步骤S3：通过刻蚀所述有机材料层（104）和非晶硅层（103），以完全去除所述有机材料层（104），获得所需厚度且表面平坦的所述非晶硅层（103）。
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