[发明专利]不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法有效
申请号: | 201210405483.4 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN102916082A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 黄婵燕;陈鑫;魏调兴;孙艳;戴宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法,该方法是利用水热法在预先沉积了氧化锌种子层的硅或导电玻璃衬底上制备垂直于基底的氧化锌纳米线阵列薄膜,再对纳米线表面进行改性后吸附第一种量子点,接着生长第二段纳米线并直接吸附第二种量子点,利用表面改性造成的亲和性差异确保两种量子点在空间位置上的相互分离,最终形成一种不同量子点沿一维纳米线分段组装的纳米复合结构。本发明的优点是:工艺成本低,纳米线结构可控,易于单独对量子点尺寸进行调节;该发明制备的不同量子点沿纳米线分段组装的结构,在光电探测及光伏应用中,在提高电子传输能力和拓展光谱响应范围或提高光吸收能力方面有重要的意义。 | ||
搜索关键词: | 不同 量子 点沿一维 纳米 分段 组装 方法 | ||
【主权项】:
一种不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法,其特征在于:它包括如下步骤:首先,采用原子层沉积法在导电玻璃或硅衬底上沉积厚度为20‑50纳米的氧化锌薄膜,并经过450℃退火0.5‑1小时,以该层薄膜为种子层采用水热法制备垂直于衬底的氧化锌纳米线阵列;其次,将纳米线阵列浸泡在巯基丙酸溶液中2小时进行表面修饰,取出并用氮气吹干再静置2小时后浸泡到油相量子点溶液中12‑24小时,完成第一种量子点在第一段纳米线表面的组装;然后,将该结构浸泡在十八烷基三氯硅烷溶液中2小时,取出并在氮气氛围中自然干燥2小时后置于紫外灯下曝光1分钟,再采用水热法制备基于第一段纳米线末端的第二段纳米线;接着将纳米结构浸泡在水相量子点溶液中12‑24小时,完成第二种量子点在第二段纳米线表面的组装,并在快速退火炉中预充氮气30分钟,300℃热处理5分钟烧除纳米结构上的有机物,最终得到一种不同量子点沿一维纳米线的分段组装的纳米复合结构。
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