[发明专利]掺镨钨酸镥钾激光晶体及其制备方法

摘要

本发明提供一种掺镨钨酸镥钾激光晶体及其制备方法。该晶体属于单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数为，β=130.68°，，Z=4，D_c=4.63 g/cm³。该晶体可采用助熔剂法生长。其吸收光谱在451nm处呈现很大的吸收，吸收截面达到74.4×10^-20 cm²，吸收半峰宽达到了8nm。该晶体在可见光波段以及近红外波段有强的发射，在1073nm 处的发射截面达到了24.3×10^-20cm²，该晶体可望成为一种新的激光晶体，并获得实际应用。

主权项

1.一种掺镨钨酸镥钾激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Pr³⁺:KLu(WO₄)₂，属于单斜晶系，具有C2/m空间群结构，晶胞参数为，Z=4，D_c=4.63 g/cm³。