[发明专利]微CMOS功率放大器无效
| 申请号： | 201210407077.1 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103715991A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 尹圣万;朴锺振 | 申请（专利权）人： | 英泰有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/20;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种输出变压器由多层结构的基板构成并与放大电路模块层叠而构成的微CMOS功率放大器，提供如下构成的功率放大器，包括：放大电路模块芯片，其构成为将放大功率的电路模块化成一体；以及输出变压器，其将所述放大电路模块芯片的输出经由变压器电路输出到外部，所述输出变压器通过多层结构的基板实现，所述放大电路模块芯片和所述输出变压器由对层进行层叠而形成。根据如上述的微CMOS功率放大器，在功率放大器中将以往的占较大空间的输出变压器由多层结构的基板来构成，由此能够将芯片尺寸减小到50%以内而不降低功率放大器的输出。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 功率放大器 | ||
【主权项】：
一种微CMOS功率放大器，其特征在于，包括：放大电路模块芯片，其构成为将放大功率的电路模块化成一体；以及输出变压器，其将所述放大电路模块芯片的输出经由变压器电路输出到外部，所述输出变压器通过多层结构的基板实现，所述放大电路模块芯片和所述输出变压器层压而构成。
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