[发明专利]鳍型场效应晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201210407809.7 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103779227A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;骆志炯;尹海洲;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波;何平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层（100），BOX层（120）和SOI层（130）；由SOI层形成鳍结构基体；在鳍结构基体的两侧形成源漏区（110）；由鳍结构基体形成位于源漏区（110）之间的鳍结构；横跨所述鳍结构形成栅堆叠。本发明提供的鳍型场效应晶体管的制造方法能在鳍型场效应晶体管中集成高k栅介质层和金属栅，以及应力材料源漏区，提升半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍型场效应晶体管的制造方法，包括：a）提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层（100），BOX层（120）和SOI层（130）；b）由SOI层形成鳍结构基体；c）在鳍结构基体的两侧形成源漏区（110）；d）由鳍结构基体形成位于源漏区（110）之间的鳍结构；e）横跨所述鳍结构形成栅堆叠。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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