[发明专利]用于X射线球管的场发射电子源有效
申请号: | 201210407837.9 | 申请日: | 2012-10-23 |
公开(公告)号: | CN103779158B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 李冬松;章健 | 申请(专利权)人: | 上海联影医疗科技有限公司 |
主分类号: | H01J35/06 | 分类号: | H01J35/06;H01J35/04;H01J35/14 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201815 上海市嘉*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于X射线球管的场发射电子源,包括阳极、栅极和阴极,所述阴极采用纳米线结构,由第一阴极和第二阴极组成,所述第二阴极呈阵列排布并与所述第一阴极相连;所述栅极采用纳米线结构,呈阵列排布,并与所述第二阴极在行列方向相间隔排列,所述栅极与所述第一阴极间设有绝缘层。本发明能够产生较大的发射面积,减少栅极对电子流的阻挡,阴极可以的更充分的感受到电场的作用并具有较大的场发射增强因子,最大程度的避免电子束的冲击所产生的高温及溅射影响。 | ||
搜索关键词: | 用于 射线 发射 电子 | ||
【主权项】:
一种用于X射线球管的场发射电子源,包括阳极、栅极和阴极,其特征在于:所述阴极采用纳米线结构,由第一阴极和第二阴极组成,所述第二阴极呈阵列排布并与所述第一阴极相连;所述栅极采用纳米线结构,呈阵列排布,并与所述第二阴极在行列方向相间隔排列,所述栅极与所述第一阴极间设有绝缘层;所述第二阴极、栅极为朝向阳极延伸的柱状体,且所述第二阴极、栅极间隔排列;所述第二阴极穿过所述绝缘层位于所述栅极的侧面,所述栅极和穿过所述绝缘层的第二阴极位于所述阳极与所述绝缘层之间。
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