[发明专利]基于ZnO衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件

摘要

本发明公开了一种基于ZnO衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用II-VI族族化合物半导体ZnO作为衬底，通过对ZnO衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，实现石墨烯生长的最优化，在ZnO上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯无需转移过程，为氧化锌-石墨烯结构器件提供了材料，可直接用于制造各种器件，提高了器件的电学特性，可靠性，降低了器件制造的复杂性。可以生长出具有半导体洁净度的大面积石墨烯材料。

主权项

一种基于氧化锌衬底的石墨烯CVD直接外延方法，其特征在于，采用II‑VI族半导体氧化锌作为衬底的石墨烯CVD外延生长方法，通过对氧化锌衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，在氧化锌上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，可用于无需转移的大面积石墨烯材料的生长制备，并为氧化锌‑石墨烯光电、压电器件的制造提供材料。