[发明专利]具有成分梯度的非晶合金带材及其制造方法有效
申请号: | 201210408407.9 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN102909326A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 丁力栋;李泉;王建;张志英;王畅;马跃 | 申请(专利权)人: | 安泰科技股份有限公司 |
主分类号: | B22D11/06 | 分类号: | B22D11/06;B22D11/18 |
代理公司: | 北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙) 11248 | 代理人: | 张小娟 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及非晶纳米晶合金薄带制造领域,特别涉及一种具有成分梯度的非晶合金带材及其制造方法。该非晶合金带材从表面向内部的0~200nm深度范围内,成分梯度元素含量逐渐减少;其中,成分梯度元素为[B]、[C]、[N]、[Si]、[P]、[S]中的至少一种。本发明利用可在高温下分解成活性原子的气体在熔潭周围温下分解出[B]、[C]、[N]、[Si]、[P]、[S]等活性原子,将其渗入到熔体中形成浓度梯度,凝固后形成具有成分梯度的非晶合金带材。本发明通过控制喷吹气体的种类和浓度,可以调节带材成分梯度层的元素种类、深度和元素含量。 | ||
搜索关键词: | 具有 成分 梯度 合金 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有成分梯度的非晶合金带材,其特征在于:该带材从贴辊面和/或自由面的表面向内部的0~200nm深度范围内,成分梯度元素含量逐渐减少;其中,成分梯度元素为[B]、[C]、[N]、[Si]、[P]、[S]中的至少一种。
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