[发明专利]一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法。该无结硅纳米线晶体管包括：一体硅衬底，在体硅衬底上制作一P型或N型掺杂层，在该P型或N型掺杂层上制作一掺杂类型与之相反的N型或P型掺杂层，不同类型的掺杂层构成PN结起到电学隔离的作用；在N型或P型掺杂层上制作晶体管的源区、漏区和硅纳米线，硅纳米线连接源区与漏区构成导电沟道；一绝缘介质层制作在整个硅纳米线以及源、漏区表面；一多晶硅栅条，制作在源区与漏区之间，并完全包裹硅纳米线；一漏电极，该漏电极制作在硅的漏区上；一源电极，该源电极制作在硅的源区上；一栅电极，该栅电极制作在多晶硅栅条上。利用本发明，能够在体硅衬底上实现无结硅纳米线晶体管。

主权项

一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管，其特征在于，包括：一体硅衬底；一第一掺杂层，该第一掺杂层通过离子注入形成于该体硅衬底的上部，且该第一掺杂层的掺杂类型是P型或N型；一第二掺杂层，该第二掺杂层通过离子注入形成于该体硅衬底的上部，且位于该第一掺杂层之上，该第二掺杂层的掺杂类型与该第一掺杂层的掺杂类型相反；一源区、一漏区和一硅纳米线，该源区、漏区和硅纳米线制作于该第二掺杂层上；一绝缘介质层，该绝缘介质层制作于该硅纳米线以及源区、漏区的表面；一多晶硅栅条，该多晶硅栅条制作于该源区与漏区之间，并完全包裹该硅纳米线；一漏电极，该漏电极制作于该漏区上；一源电极，该源电极制作于该源区上；以及一栅电极，该栅电极制作于该多晶硅栅条上。