[发明专利]一种半导体微波炉

摘要

本发明公开了一种半导体微波炉，其包括：半导体功率源，所述半导体功率源包括多个LDMOS管，所述多个LDMOS管根据自振荡电路产生预设频率的微波；控制模块，所述控制模块与所述半导体功率源相连，用于输出控制信号控制所述多个LDMOS管以调整所述半导体功率源的工作频率；供电电源，所述供电电源与所述半导体功率源和所述控制模块相连，用于输出直流电压以给所述半导体功率源和所述控制模块供电。该半导体微波炉结构简单合理、制作成本低、可靠性好，并且高效节能，使用安全。

主权项

一种半导体微波炉，其特征在于，包括：半导体功率源，所述半导体功率源包括多个LDMOS管，所述多个LDMOS管根据自振荡电路产生预设频率的微波，其中，所述半导体功率源还包括偏压及控制子模块，所述多个LDMOS管的栅极并联后与所述偏压及控制子模块相连，其中，所述偏压及控制子模块进一步包括：串联的第九电阻和稳压二极管，所述稳压二极管的正极端接地，所述第九电阻的一端与所述半导体功率源的直流电源输入端相连；第三电容，所述第三电容的一端与所述第九电阻的一端相连，所述第三电容的另一端接地；可变电容，所述可变电容的一端与所述第九电阻的一端相连，所述可变电容的另一端接地，所述可变电容的控制端与所述控制模块相连；三极管，所述三极管的发射极与所述第九电阻和稳压二极管之间的节点相连；第十电阻，所述第十电阻的一端与所述控制模块相连，所述第十电阻的另一端与所述三极管的基极相连；可变电阻，所述可变电阻的一端与所述三极管的集电极相连，所述可变电阻的另一端接地；第十一电阻，所述第十一电阻的一端与所述可变电阻的控制端相连，所述第十一电阻的另一端分别与所述多个LDMOS管的栅极相连；控制模块，所述控制模块与所述半导体功率源相连，用于输出控制信号控制所述多个LDMOS管以调整所述半导体功率源的工作频率；供电电源，所述供电电源与所述半导体功率源和所述控制模块相连，用于输出直流电压以给所述半导体功率源和所述控制模块供电。