[发明专利]一种改善超级结深沟槽外延层平坦化的方法有效
| 申请号： | 201210409066.7 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103779228A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘继全;钱志刚;唐锦来 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王函 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善超级结深沟槽外延层平坦化的方法，包括如下步骤：1）在硅片表面淀积氧化膜和/或氮化膜作为阻挡层；2）在硅片上刻蚀深沟槽；3）用单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；4）采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，分为以下三步骤：步骤A，通过化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的外延层研磨去除一半，化学机械研磨的残留物覆盖在凹槽中；步骤B，在研磨至一半的研磨量之后，将研磨头升起，并使用大量的处于常温的去离子水冲洗硅片以及研磨垫，将位于凹槽中的化学机械研磨的残留物去除；步骤C，将位于阻挡层上方的外延层全部研磨去除。本发明能有效去除位于阻挡层上方的外延层，以有效改善超级结外延层平坦化效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 超级 深沟 外延 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种改善超级结深沟槽外延层平坦化的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）在硅片表面淀积氧化膜和/或氮化膜作为阻挡层；2）在硅片上刻蚀深沟槽；3）用单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；4）采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，该步化学机械研磨分为三步骤：步骤A，通过化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的外延层研磨去除一半，化学机械研磨的残留物覆盖在凹槽中；步骤B，在研磨至一半的研磨量之后，将研磨头升起，并使用大量的处于常温的去离子水冲洗硅片以及研磨垫，将位于凹槽中的化学机械研磨的残留物去除；步骤C，将位于阻挡层上方的外延层全部研磨去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
