[发明专利]一种有机小分子单晶材料的表征方法及其应用有效
| 申请号： | 201210410863.7 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103776856A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 金桥;江潮;祁琼;李德兴 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王凤桐;周建秋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有机小分子单晶材料的表征方法及其应用，该方法包括1）利用介电材料和有机半导体材料依次在载网上形成介电层和有机半导体纳米薄膜，所述有机半导体纳米薄膜的厚度为0.8-8nm；2）在无水无氧条件下将步骤1）获得的产物进行退火，使所述有机半导体纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料；3）将步骤2）获得的产物置于透射电子显微镜下观察，并测量有机单晶纳米材料的尺寸、表面粗糙度和结晶性。本发明的方法在较低温度、常压条件下制备出纳米晶体，所得产物在载网上原位生成，无需晶体再转移步骤，在单晶形成过程中晶粒不会受到污染或损坏，可直接用于电镜观察和表征。本发明方法还特别有利于对纳米晶体形成过程中不同中间态的分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 分子 材料 表征 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种有机小分子单晶材料的表征方法，其特征在于，该方法包括：1）利用介电材料和有机半导体材料依次在载网上形成介电层和有机半导体纳米薄膜，所述有机半导体纳米薄膜的厚度为0.8‑8nm；2）在无水无氧条件下将步骤1）获得的产物进行退火，使所述有机半导体纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料；3）将步骤2）获得的产物置于透射电子显微镜下观察，并测量有机单晶纳米材料的尺寸、表面粗糙度和结晶性。
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