[发明专利]用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法有效
| 申请号： | 201210411436.0 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102899718A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 封先锋;陈治明;马剑平;蒲红斌;臧源 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 张瑞琪 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：制作石墨柱；将碳化硅粉源装入坩埚中，然后将石墨柱插入碳化硅粉源中，再将坩埚工装后置入生长设备中；进行碳化硅粉源烧结并除杂；从坩埚中取出石墨柱；进行晶体生长操作。本发明解决了现有技术中碳化硅粉源利用率不高、晶体平均生长速率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 晶体生长 速率 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，依次进行如下步骤：步骤1、将碳化硅粉源和石墨柱装入坩埚中，再将坩埚工装后置入生长设备中；步骤2、进行碳化硅粉源烧结并除杂；步骤3、从坩埚中取出石墨柱；步骤4、进行晶体生长操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学，未经西安理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210411436.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：节能型电多效蒸馏水机
- 下一篇：净水器
