[发明专利]含氧化锌基透明导电薄膜的半导体发光装置及其制造方法无效
申请号: | 201210412020.0 | 申请日: | 2012-10-25 |
公开(公告)号: | CN103078035A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 李宗炫;李正贤;金起成;尹皙胡;金荣善 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/42 | 分类号: | H01L33/42;C23C16/40;C23C16/44 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体发光装置及其制造方法,该半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。 | ||
搜索关键词: | 氧化锌 透明 导电 薄膜 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体发光装置,所述半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。
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