[发明专利]一种OPC验证方法以及掩膜版的制备方法在审
| 申请号： | 201210413898.6 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103777459A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张婉娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种OPC验证方法以及掩膜版的制备方法，提供OPC后的图案，根据所述OPC后的图案计算AEI轮廓并标出超出目标值误差的区域，之后进行器件模拟，检测模拟后的器件的电性能，以此判断OPC后的图案的优劣，并在此基础上进行掩膜版的制备。本发明将OPC的验证引入到直接检测器件的电性能这一方向，可以捕捉到对器件的生产具有不良影响的光刻变动，为制造良好的器件打下了较佳的基础，同时依据对电性能的检测能够捕捉到设计薄弱点，有利于掩膜版制造工艺的持续改善，从而有效的优化了设计过程，极大的节省了时间和投入资本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 opc 验证 方法 以及 掩膜版 制备 | ||
【主权项】：
一种OPC验证方法，其特征在于，包括：提供OPC后的图案；根据所述OPC后的图案计算AEI轮廓，并标出超出目标值误差的区域；由模拟器对所述AEI轮廓进行器件模拟；检测模拟后的器件的电性能；输出检测结果。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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