[发明专利]半导体器件主动区失效分析样品的制备方法有效
| 申请号： | 201210414644.6 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103776668A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 孔云龙;郭炜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01R31/26;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件主动区失效分析样品的制备方法，以氢氟酸与乙酸的混合溶液替代现有技术中单纯使用氢氟酸去除氧化层，相对于单纯使用氢氟酸的强腐蚀性，由于在混合溶液中的乙酸同时也电离出氢离子，可抑制氢氟酸的电离，避免腐蚀过程中过多的氟离子参与反应，因此，可使得腐蚀过程中减小损伤或不损伤半导体器件的主动区；使用超声波振荡半导体器件可使低于主动区表面的多晶硅层突出，便于后续使用多晶硅胶去除多晶硅层，避免了在去除多晶硅层的过程中对半导体器件主动区的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 主动 失效 分析 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件主动区失效分析样品的制备方法，包括：提供半导体器件，所述半导体器件包括主动区，形成于主动区中的深沟槽，覆盖所述主动区和所述深沟槽表面的氧化层，以及填充于所述深沟槽内的多晶硅层；其中，所述多晶硅层的表面低于所述主动区的表面；使用氢氟酸与乙酸的混合溶液对所述半导体器件进行腐蚀；将腐蚀后的半导体器件清洗并干燥；将干燥的半导体器件浸入丙酮溶液，进行超声波振荡，并在取出半导体器件后再次干燥；使用丙酮将再次干燥的半导体器件表面湿润；使用多晶硅胶贴合于半导体器件表面，并在预定时间后揭去多晶硅胶以得到半导体器件主动区失效分析样品。
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