[发明专利]一种晶体硅太阳电池的导电减反射膜和晶体硅太阳电池在审

专利信息
申请号: 201210416053.2 申请日: 2012-10-26
公开(公告)号: CN103779430A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 谭伟华;廖辉 申请(专利权)人: 上海比亚迪有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201611 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种晶体硅太阳电池的导电减反射膜,所述导电减反射膜为双功能层结构,靠近晶体硅太阳电池硅衬底的功能层为钝化层,远离晶体硅太阳电池硅衬底的功能层为导电层;导电层所采用的导电介质选自AZO、ITO、ATO、SnO2中的至少一种。本发明还提供了一种采用该导电减反射膜的晶体硅太阳电池。本发明提供的导电减反射膜,对硅表面进行良好钝化,还能有效收集PN结产生的光生载流子、使其复合被抑制,光利用率大;同时导电层还可以将电池向光面电极的栅线有效连接,使电极电阻分布均匀,电池的串联电阻变小,填充因子显著增加,提高电池的光电转化效率。另外,本发明提供的晶体硅太阳电池的制造工艺简单,适合大规模商业化生产。
搜索关键词: 一种 晶体 太阳电池 导电 减反射膜
【主权项】:
一种晶体硅太阳电池的导电减反射膜,其特征在于,所述导电减反射膜为双功能层结构,其中靠近晶体硅太阳电池硅衬底的功能层为钝化层,远离晶体硅太阳电池硅衬底的功能层为导电层;所述导电层所采用的导电介质选自AZO、ITO、ATO或者SnO2中的至少一种。
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