[发明专利]半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法：预先提供一具有多层沉积膜的半导体衬底，在沉积膜表面形成第一底部抗反射层和第一图案化的光阻胶层，第一图案化的光阻胶层定义外围电路的有源区；以第一图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底至预定深度形成沟槽；去除第一底部抗反射层和第一图案化的光阻胶层后，在沟槽内及沉积膜的表面沉积第一氧化层；在第一氧化层的表面形成APF、DARC、第二底部抗反射层和第二图案化的光阻胶层，第二图案化的光阻胶层定义单元阵列的有源区；以第二图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀APF；采用SADP方法以APF作为牺牲层，形成具有预定宽度的氧化线；刻蚀氧化线至半导体衬底预定深度。本发明使工艺简单化。

主权项

一种半导体器件的制作方法，所述半导体器件包括外围电路区和单元阵列区，该方法包括：预先提供一具有多层沉积膜的半导体衬底，在所述沉积膜表面依次形成第一底部抗反射层和第一图案化的光阻胶层，所述第一图案化的光阻胶层定义外围电路的有源区；以所述第一图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀半导体衬底至预定深度形成沟槽；去除第一底部抗反射层和第一图案化的光阻胶层后，在沟槽内及沉积膜的表面沉积第一氧化层；在所述第一氧化层的表面依次形成不定性碳膜APF、介质抗反射层、第二底部抗反射层和第二图案化的光阻胶层，所述第二图案化的光阻胶层定义单元阵列的有源区；以所述第二图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀APF；采用自对准双图案方法以APF作为牺牲层，形成具有预定宽度的氧化线；涂布第三光阻胶层或者第三底部抗反射层以覆盖氧化线，并回刻第三光阻胶层或者第三底部抗反射层显露出氧化线的上表面；刻蚀氧化线至半导体衬底预定深度。