[发明专利]一种超级结深沟槽结构无效

专利信息
申请号: 201210418306.X 申请日: 2012-10-26
公开(公告)号: CN103035723A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 刘远良;胡晓明 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 王函
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种超级结深沟槽结构,所述超级结深沟槽包括原胞区和终端区;所述原胞区内的多个沟槽的形状均为条形,并且相邻沟槽的间距相等;所述终端区由两部分构成,一部分是终端区的四边,该终端区的四边内的沟槽形状为条形,另一部分是终端区的拐角处,该终端区的拐角处内的多个沟槽的形状为分离的四边形。本发明主要是针对超级结深沟槽设计,通过优化终端区拐角处沟槽设计,由各自独立的分离的四边形组合而成,而在原胞区内及其它非角落处,则保持正常匹配尺寸。利用该设计优化,可以改善制造工艺本身不可避免的工艺缺陷,能够避免拐角处空洞的出现,从而提高击穿电压,优化器件的电特性。
搜索关键词: 一种 超级 深沟 结构
【主权项】:
一种超级结深沟槽结构,其特征在于,所述超级结深沟槽包括原胞区和终端区;所述原胞区内的多个沟槽的形状均为条形,并且相邻沟槽的间距相等;所述终端区由两部分构成,一部分是终端区的四边,该终端区的四边内的沟槽形状为条形,另一部分是终端区的拐角处,该终端区的拐角处内的多个沟槽的形状为分离的四边形。
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